[发明专利]多井硒器件及其制造方法

摘要

提供了一种场成形多井探测器及其制造方法。通过在衬底上沉积像素电极、沉积第一介电层、在第一介电层上沉积第一导电栅极层、在第一导电栅极层上沉积第二介电层，在第二电介质层上沉积第二导电栅极层、在第二导电栅层上沉积第三电介质层、在第三电介质层上沉积蚀刻掩模来配置该探测器。通过蚀刻第三介电层、第二导电栅极层、第二介电层、第一导电栅极层和第一介电层来形成两个柱。通过蚀刻到像素电极而不蚀刻像素电极来形成两个柱之间的井，并且用a‑Se填充井。

主权项

1.一种制造多井非晶硒(a‑Se)探测器的方法，包括：邻近衬底沉积像素电极；沉积第一介电层；在第一介电层上沉积第一导电栅极层；在第一导电栅极层上沉积第二介电层；在第二介电层上沉积第二导电栅极层；在第二导电栅极层上沉积第三介电层；在第三介电层上沉积蚀刻掩模；执行第一蚀刻以形成至少两个柱，其间具有至少一个井；在所述至少两个柱上和所述至少一个井的底部上沉积氧化物介电层；以及执行第二蚀刻以从所述至少一个井的底部去除氧化物介电层。