[发明专利]全表面薄膜计量系统有效
申请号: | 201780015931.0 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN109155263B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李诗芳;L·尼古拉德斯;P·霍恩;R·葛雷兹 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明揭示一种系统,其经配置以对晶片的前表面、与所述前表面相对的后表面及/或所述前表面与所述后表面之间的边缘执行计量。此可提供对所述晶片的所述后表面的全晶片计量及/或薄膜的计量。在实例中,可使用从晶片的后表面出射的亮场光的灰阶图像与参考晶片的灰阶图像的比率而确定受测试的所述晶片的所述后表面上的薄膜的厚度及/或光学性质。 | ||
搜索关键词: | 表面 薄膜 计量 系统 | ||
【主权项】:
1.一种系统,其包括:载物台,其经配置以固持晶片;至少一个光源,其经配置以在所述载物台上的所述晶片的前表面、与所述前表面相对的后表面及所述前表面与所述后表面之间的边缘处引导至少一个光束;至少三个检测器,其经配置以接收经反射离开所述前表面、所述后表面及所述边缘的所述光束;及控制器,其与传感器电子通信,其中所述控制器经配置以对所述前表面、所述后表面及所述边缘执行计量。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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