[发明专利]具有高介电强度的光可成像薄膜在审
| 申请号： | 201780016397.5 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108780272A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | C·沃尔福-古普塔;饶袁桥 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/023;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制备光可成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)包含甲酚酚醛树脂和重氮萘醌抑制剂的正性光致抗蚀剂；和(b)氧化锆或钛酸钡与配体的摩尔比为0.2至20的官能化氧化锆或钛酸钡纳米粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 正性光致抗蚀剂 官能化氧化锆 甲酚酚醛树脂 光可成像膜 钛酸钡纳米 光可成像 高介电 摩尔比 氧化锆 抑制剂 重氮萘 钛酸钡 配体 制备 薄膜 粒子 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备光可成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)包含甲酚酚醛树脂和重氮萘醌抑制剂的正性光致抗蚀剂；和(b)氧化锆或钛酸钡与配体的摩尔比为0.2至20的官能化氧化锆或钛酸钡纳米粒子。
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