[发明专利]压电薄膜元件在审
申请号: | 201780016688.4 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN108780839A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 彼得·马迪洛维奇;高松远;苏珊·特罗利尔-麦金斯特里;特伦特·博尔曼 | 申请(专利权)人: | 赛尔科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01L41/318;H01L41/08 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 艾娟;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一种压电薄膜元件,其包括第一电极、第二电极和位于它们之间的一个或更多个压电薄膜,其中第一电极是具有平均晶粒尺寸大于50nm的铂金属电极,并且其中邻近铂金属电极的压电薄膜包括具有多个压电薄膜层的叠层,其中接触铂金属电极的压电薄膜层包括为或大约为PbZrxTi1‑xO3(其中0 | ||
搜索关键词: | 电极 铂金属 压电薄膜元件 压电薄膜层 第一电极 压电薄膜 第二电极 平均晶粒 锆钛酸铅 叠层 取向 邻近 | ||
【主权项】:
1.一种压电薄膜元件,其包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的一个或更多个压电薄膜,其中所述第一电极是具有大于50nm的平均晶粒尺寸的铂金属电极,并且其中邻近所述铂金属电极的压电薄膜包括具有多个压电薄膜层的叠层,其中接触所述铂金属电极的压电薄膜层包括为或大约为PbZrxTi1‑xO3的组成的锆钛酸铅(PZT)并且具有大于或等于90%的伪立方{100}取向的水平,其中0
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛尔科技有限公司,未经赛尔科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780016688.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。