[发明专利]用于气体流量比控制的方法与组件有效
申请号: | 201780016943.5 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN108886001B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 凯文·布拉希尔;阿什利·M·奥卡达;丹尼斯·L·德玛斯;叶祉渊;杰德夫·拉贾拉姆;玛塞勒·E·约瑟夫森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/54 | 分类号: | H01L21/54;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 方法和气体流量控制组件经配置而将气体以所需流量比输送到处理腔室区。在一些实施方式中,组件包括一或多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包括控制器、处理气体源、分配歧管、压力传感器、处理腔室、一或多个质量流量控制器和背压控制器,压力传感器耦接至分配歧管且经配置而感测分配歧管的背压,一或多个质量流量控制器连接于分配歧管与处理腔室之间以控制分配歧管与处理腔室之间的气体流量,背压控制器与一或多个质量流量控制器以流体并联关系设置,其中实现精确的流量比控制。替代实施方式包括上游压力控制器,上游压力控制器经配置而控制载气的流量,以控制背压。作为其他方面本案描述用于控制分区气体流量比的进一步方法与组件。 | ||
搜索关键词: | 用于 气体 流量 控制 方法 组件 | ||
【主权项】:
1.一种控制气体到处理腔室的流量的方法,包括:提供分配歧管,所述分配歧管流体地耦接至所述处理腔室;提供处理气体源,所述处理气体源流体地耦接至所述分配歧管,所述处理气体源包含上游压力控制器和一或多个处理气体,所述上游压力控制器操作性地耦接至载气,所述一或多个处理气体的流量由一或多个源质量流量控制器控制;提供一或多个质量流量控制器,所述一或多个质量流量控制器流体地耦接于所述处理腔室与所述分配歧管之间;将通过所述一或多个质量流量控制器的各者的气体流量控制于动态可控流量设定点;及通过用所述上游压力控制器控制载气流量来将所述分配歧管的背压控制于背压设定点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780016943.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体基体以及半导体装置
- 下一篇:芯片封装设备及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造