[发明专利]半导体装置及其制造方法、电力变换装置有效
| 申请号： | 201780017010.8 | 申请日： | 2017-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108886055B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 须贺原和之;冈部博明;吉田基 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，具备：半导体层，配置于半导体基板上；第1半导体区域，设置于半导体层的上层部；第2半导体区域，设置于第1半导体区域的上层部；栅极绝缘膜；栅电极；第1主电极，设置于覆盖栅电极的层间绝缘膜上，经由接触孔而与第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配置于半导体基板的第2主面上，第1主电极具有：基底电极膜，经由接触孔而与第2半导体区域连接；以及铜膜，设置于基底电极膜上，铜膜在至少一部分中包括其晶体粒径比铜膜的其它部分小的应力缓和层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层，配置于所述半导体基板的第1主面上；第2导电类型的第1半导体区域，选择性地设置于所述半导体层的上层部；第1导电类型的第2半导体区域，选择性地设置于所述第1半导体区域的上层部；栅极绝缘膜，设置成与所述第1半导体区域及所述第2半导体区域和所述半导体层的表面接触；比所述栅极绝缘膜厚的绝缘膜，设置于所述半导体层的未设置有所述栅极绝缘膜的区域；栅电极，至少设置于所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，设置成覆盖所述栅电极；接触孔，贯通所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜，在其底部至少露出所述第2半导体区域；第1主电极，设置于所述层间绝缘膜上，经由所述接触孔而与所述第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配置于所述半导体基板的第2主面上，所述第1主电极具有：基底电极膜，经由所述接触孔而与所述第2半导体区域连接；以及铜膜，设置于所述基底电极膜上，所述铜膜在至少一部分中包括其晶体粒径比所述铜膜的其它部分小的应力缓和层。
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