[发明专利]估计功率半导体模块的损坏程度或寿命预期的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201780017064.4 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN108885231B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: N·德格雷纳;S·莫洛夫 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01R29/22 分类号: G01R29/22;G01R31/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于估计功率半导体模块(10)的损坏程度或寿命预期的方法,该功率半导体模块(10)包括在机械和电气上附接到陶瓷基板(104)的至少一个芯片(100a、100b)。陶瓷基板(104)具有压电特性,并且方法包括以下步骤:控制至少一个功率芯片(100a、100b),对至少一个功率芯片(100a、100b)的控制在陶瓷基板(104)上阐述电位的变化;获得表示陶瓷基板(104)的机械变形的信息;根据所获得的信息和基准信息确定是否需要执行指示损坏程度或寿命预期的通知;以及如果确定步骤确定需要执行通知,则通知损坏程度或寿命预期。
搜索关键词: 估计 功率 半导体 模块 损坏 程度 寿命 预期 方法 装置
【主权项】:
1.一种用于估计功率半导体模块的损坏程度或寿命预期的方法,该功率半导体模块包括至少一个芯片,该至少一个芯片在机械和电气上附接到陶瓷基板,其特征在于:所述陶瓷基板具有压电特性并且所述方法包括以下步骤:‑控制所述至少一个功率芯片,对所述至少一个功率芯片的所述控制在所述陶瓷基板上产生电位的变化;‑获得表示所述陶瓷基板的机械变形的信息;‑根据所获得的信息和基准信息确定是否需要执行指示所述损坏程度或所述寿命预期的通知;以及‑如果所述确定步骤确定需要执行通知,则通知所述损坏程度或所述寿命预期。
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