[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的第一绝缘层(41)设置在半导体基板(31)的第二面(P2)上，具有开口部(OP)。第二绝缘层(6)设置在第二面(P2)，与第一绝缘层(41)分离。层叠体(51)在第二面(P2)上，由氮化镓类材料制成，依次具有侧部n型外延层(7)和第一以及第二p型外延层(8、9)。层叠体(51)具有由第二p型外延层(9)构成的部分的外侧侧壁(SO)、从第二绝缘层(6)延伸的内侧侧壁(SI)以及顶面(ST)。n型接触层(12)设置于顶面(ST)上。源电极部(14)在顶面(ST)上与n型接触层(12)接触，且在外侧侧壁(SO)上与第二p型外延层(9)接触。栅极绝缘膜(16)设置于内侧侧壁(SI)上。

主权项

1.一种半导体装置(91、91M、92)，其中，具有：半导体基板(31)，所述半导体基板(31)具有第一面(P1)和与所述第一面(P1)相反的第二面(P2)；第一绝缘层(41)，所述第一绝缘层(41)设置在所述半导体基板(31)的所述第二面(P2)上，具有部分地露出所述第二面(P2)的开口部(OP)；第二绝缘层(6)，所述第二绝缘层(6)设置在所述半导体基板(31)的所述第二面(P2)上，与所述第一绝缘层(41)分离；层叠体(51)，所述层叠体(51)在所述半导体基板(31)的所述第二面(P2)上，依次具有由氮化镓类材料制成的、侧部n型外延层(7)、具有第一杂质浓度的第一p型外延层(8)以及具有比所述第一杂质浓度高的杂质浓度的第二p型外延层(9)，所述层叠体(51)具有外侧侧壁(SO)、内侧侧壁(SI)以及顶面(ST)，所述外侧侧壁(SO)具有由所述第二p型外延层(9)构成的部分，并从所述第一绝缘层(41)延伸且与所述半导体基板(31)的所述第二面(P2)形成比直角小的角度，所述内侧侧壁(SI)具有由所述第一p型外延层(8)构成的部分并且从所述第二绝缘层(6)延伸，所述顶面(ST)连接所述外侧侧壁(SO)以及所述内侧侧壁(SI)；n型接触层(12)，所述n型接触层(12)设置在所述层叠体(51)的所述顶面(ST)上，与所述第一p型外延层(8)接触；源电极部(14)，所述源电极部(14)在所述层叠体(51)的所述顶面(ST)上与所述n型接触层(12)接触，且在所述层叠体(51)的所述外侧侧壁(SO)上与所述第二p型外延层(9)接触；漏电极(15)，所述漏电极(15)设置在所述第一面(P1)上；栅极绝缘膜(16)，所述栅极绝缘膜(16)设置在所述层叠体(51)的所述内侧侧壁(SI)上；以及栅电极(61)，所述栅电极(61)设置在所述栅极绝缘膜(16)上。