[发明专利]纳米多孔半导体材料及其制造有效
| 申请号： | 201780017477.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN109072451B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·格罗斯曼;布伦丹·德里克·史密斯;亚廷·贾耶什·帕蒂尔;尼古拉·费尔拉利什 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于形成纳米多孔半导体材料的方法。所述方法允许在半导体材料中以窄尺寸分布和超过400:1的纵横比形成亚10nm纳米孔的微尺度阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 半导体材料 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成纳米多孔半导体材料的方法，所述方法包括：将多个纳米颗粒布置为靠近半导体基底，其中所述多个纳米颗粒中的至少一些纳米颗粒包括贵金属芯和包围所述贵金属芯的牺牲间隔层；将包括贵金属芯和包围所述贵金属芯的牺牲间隔层的纳米颗粒中的至少一部分组装成密堆积阵列；从多个经组装的纳米颗粒中的至少一些纳米颗粒中除去所述牺牲间隔层的至少一部分以形成多个间隔的贵金属纳米颗粒；以及通过在所述多个间隔的贵金属纳米颗粒的至少一部分的位置处蚀刻半导体表面在所述半导体材料中形成多个孔。
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