[发明专利]曝光装置及曝光方法、微影方法、以及组件制造方法在审
| 申请号： | 201780017551.0 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108780741A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 柴崎祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01J37/305 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 曝光装置系沿Y轴方向扫描基板，并且根据自包含多个射束光学系统之多条射束之照射位置之变化的相关信息之与射束相同数量之畸变表格(200i)所获得之修正信息，调整多条射束之照射位置。尤其是，藉由个别地控制自多个射束光学系统照射至基板之多条射束的照射时序，调整多条射束之Y轴方向之照射位置。 | ||
| 搜索关键词： | 射束 照射位置 光学系统 曝光装置 照射 方向扫描基板 相关信息 修正信息 组件制造 时序 畸变 基板 微影 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，其照射带电粒子束而对目标物进行曝光，具备：载台，保持且移动上述目标物；照射装置，具有能够针对多条射束个别地设定上述射束照射至上述目标物的照射状态的多射束光学系统；及控制装置，控制上述载台与上述多射束光学系统的相对移动，并且根据基于上述多条射束中的至少第1射束的照射状态所产生的第2射束的照射位置的变化的相关信息，调整上述多条射束对上述目标物的照射位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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