[发明专利]半导体光源有效
| 申请号： | 201780017646.2 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108884973B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 贝恩哈德·施托耶茨;艾尔弗雷德·莱尔;克里斯托夫·艾克勒;安德烈亚斯·莱夫勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，半导体光源(1)包括用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)以及用于从初级辐射(P)中产生更长波长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)。转换元件(3)为了产生次级辐射(S)具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有多个量子阱层(31)。量子阱层(31)优选三维成形，使得量子阱层(31)在横截面中观察具有折弯并且至少局部地倾斜于半导体层序列(30)的生长方向(G)取向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光源(1)，其具有：‑至少一个用于产生初级辐射(P)的半导体激光器(2)，和‑至少一个用于从所述初级辐射(P)中产生波长更长的可见的次级辐射(S)的转换元件(3)，其中‑所述转换元件(3)为了产生所述次级辐射(S)而具有半导体层序列(30)，所述半导体层序列具有一个或多个量子阱层(31)。
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