[发明专利]具有耐氯和氟等离子体侵蚀性的涂覆的半导体加工构件及其复合氧化物涂层有效
申请号: | 201780018052.3 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN108884546B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | M·纳伊姆;D·R·哈梅里克 | 申请(专利权)人: | FM工业公司 |
主分类号: | C23C4/11 | 分类号: | C23C4/11;C23C4/134 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 汤国华 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种半导体加工构件,包括主体和设置在主体上的等离子体喷涂涂层。涂层是ABO或ABCO复合氧化物固溶体组合物,其中A、B和C选自La、Zr、Ce、Gd、Y、Yb和Si,并且O是氧化物。该涂层赋予耐氯等离子体侵蚀性和耐氟等离子体侵蚀性,减少等离子体蚀刻期间的颗粒产生,并防止在半导体加工构件的湿清洁期间涂层开裂。 | ||
搜索关键词: | 具有 等离子体 侵蚀 半导体 加工 构件 及其 复合 氧化物 涂层 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
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