[发明专利]在用于集成电路(IC)的互连结构中形成自对准垂直互连通道(VIA)

摘要

公开了在用于集成电路(IC)的互连结构中形成自对准垂直互连通道(via)。为了减少或避免via与下垫互连金属线的未对准，使在互连结构中的制造的via与下垫互连金属线自对准。就此而言，在介电层中形成下垫金属线。在层间电介质的顶表面下方在下垫金属线中形成凹槽。停止层被布置在层间电介质上方并位于下垫金属线的凹槽内。该停止层允许在下垫金属线的凹槽内向下形成(例如，蚀刻)via通道，以使via通道与下垫金属线自对准。随后在延伸至凹槽中的via通道中沉积导电材料，以形成互连至下垫金属线的自对准via。

主权项

1.一种用于集成电路(IC)的互连结构，包括：下垫金属层，包括：被布置在具有顶表面的介电层中的多条下垫金属线；以及具有凹槽宽度的凹槽区域，其被布置在所述介电层中在所述介电层的所述顶表面下方向下凹槽距离至所述多条下垫金属线之中的下垫金属线；被布置在所述下垫金属层上方的上覆金属层，所述上覆金属层包括多条上覆金属线；以及具有垂直互连通道开口宽度的垂直互连通道，其被布置在所述下垫金属层和所述上覆金属层之间且将所述下垫金属线与所述多条上覆金属线之中的上覆金属线电互连，其中所述自对准垂直互连通道包括：所述自对准垂直互连通道的第一垂直互连通道部分，其延伸至所述下垫金属线的相应凹槽区域中以与所述下垫金属线自对准；以及所述自对准垂直互连通道的第二垂直互连通道部分，其在所述凹槽区域之外延伸至所述垂直互连通道开口宽度的。