[发明专利]固态摄像元件、传感器装置和电子设备有效
| 申请号： | 201780018834.7 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108886046B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 工藤义治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种能够获得更优良的特性的固态摄像元件、传感器装置和电子设备。在本公开中，构成像素的晶体管包括：栅电极，其具有至少两个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触。此外，沟道部分的宽度形成为小于鳍部分的深度。例如，本技术适用于CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 元件 传感器 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种固态摄像元件，其包括具有晶体管的像素，所述晶体管包括：栅电极，其具有至少一个鳍部分，所述鳍部分形成为从平面地形成在半导体基板的表面上的平面部分朝向所述半导体基板的内部埋入；以及沟道部分，其横跨源极和漏极设置，以便通过绝缘膜与所述鳍部分的侧面接触，所述晶体管形成为所述沟道部分的宽度比所述鳍部分的深度窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
