[发明专利]成像器件和电子装置有效
申请号: | 201780018885.X | 申请日: | 2017-03-17 |
公开(公告)号: | CN108780802B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 伊东恭佑 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提出了一种成像器件和包括该成像器件的电子装置。成像器件包括基板和布置在基板上的光电转换膜。第一像素包括:第一光电转换膜区域;形成在基板中的第一和第二光电转换区域;和用于第一光电转换区域的垂直晶体管。第二像素包括:第二光电转换膜区域;形成在基板中的第一和第二光电转换区域;和用于第一光电转换区域的垂直晶体管。成像器件还包括第一浮动扩散部。第一浮动扩散部由第一像素的第一光电转换区域和第二像素的第一光电转换区域共享。各像素的第一光电转换区域的一部分位于基板的光入射面与相应像素的垂直晶体管之间。 | ||
搜索关键词: | 成像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成像器件,其包括:基板;布置在所述基板上的光电转换膜;第一像素,所述第一像素包括:第一光电转换膜区域;第一光电转换区域,其中,所述第一光电转换区域形成在所述基板中;第二光电转换区域,其中,所述第二光电转换区域形成在所述基板中;用于所述第一光电转换元件的垂直晶体管;第二像素,其包括:第二光电转换膜区域;第一光电转换区域,其中,所述第二像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中;第二光电转换区域,其中,所述第二像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中;用于所述第二像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管;第一浮动扩散部,其中,所述第一像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第一像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间,其中,所述第二像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的所述光入射面与用于所述第二像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间,且其中,所述第一浮动扩散部由所述第一像素的所述第一光电转换区域和所述第二像素的所述第一光电转换区域共享。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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