[发明专利]生产钙钛矿卤化物膜的方法有效
| 申请号： | 201780019004.6 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108886067B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 朱恺;杨孟锦;周圆圆;N·P·帕德图尔 | 申请（专利权）人： | 可持续能源联合有限责任公司;布朗大学 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0445;H01L51/42;H01L51/44;H01G9/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的一个方面是一种方法，其包括将钙钛矿固体的第一阳离子的至少一部分与第二阳离子交换，其中通过将钙钛矿固体暴露于第二阳离子的前体来进行交换，使得第二阳离子的前体氧化以形成第二阳离子且第一阳离子还原以形成第一阳离子的前体。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 钙钛矿 卤化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括将钙钛矿固体的第一阳离子的至少一部分与第二阳离子交换，其中通过将钙钛矿固体暴露于第二阳离子的前体来进行交换，使得第二阳离子的前体氧化以形成第二阳离子且第一阳离子还原以形成第一阳离子的前体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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