[发明专利]固态成像装置及电子设备有效
| 申请号： | 201780019060.X | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108780803B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 城户英男;多田正裕;丰岛隆宽;馆下八州志;岩田晃 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/585;H04N25/621;H04N25/70 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及可以扩展具有高灵敏度像素和低灵敏度像素的像素的动态范围的固态成像装置及电子设备。所述固态成像装置包括像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括第一光电转换单元和具有比第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，且第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。本技术可以应用于例如背面照射CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括：第一光电转换单元，和具有比所述第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于所述第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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