[发明专利]使用融合结合法在CMOS基材上集成AlN超声换能器有效
| 申请号： | 201780019280.2 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108886089B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | J·I·申;P·司梅斯;J·申 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/30 | 分类号： | H10N30/30;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;郭辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种方法，该方法包括将处理基材上的第一氧化物层结合至互补金属氧化物半导体(“CMOS”)上的第二氧化物层，其中熔融结合形成了包括隔膜的统一氧化物层，该隔膜覆盖了CMOS上的腔体。将处理基材去除，留下统一氧化物层。将压电膜堆叠体沉积在统一氧化物层上。在压电膜堆叠体和统一氧化物层中形成通孔。使得电接触层沉积，其中，电接触层将压电膜堆叠体电连接至CMOS上的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 融合 结合 cmos 基材 集成 aln 超声 换能器 | ||
【主权项】：
1.一种方法，所述方法包括：将互补金属氧化物半导体(CMOS)上的第一氧化物层熔融结合至处理基材上的第二氧化物层，其中熔融结合形成了包括隔膜的统一氧化物层，该隔膜覆盖了CMOS上的腔体；将所述处理基材去除，留下所述统一氧化物层；将压电膜堆叠体沉积在所述统一氧化物层上；在所述压电膜堆叠体和所述统一氧化物层中形成通孔；以及沉积电接触层，其中，所述电接触层将所述压电膜堆叠体电连接至所述CMOS上的电极。
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