[发明专利]具有快速切换能力的超结功率半导体装置在审
| 申请号： | 201780019384.3 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108780806A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | A.V.博罗特尼科夫;P.A.罗西;D.A.利利恩菲尔德;R.甘地 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/732;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;闫小龙 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 超结（SJ）装置包括一个或多个电荷平衡（CB）层。每个CB层包括具有第一导电型的外延（epi）层和具有第二导电型的多个电荷平衡（CB）区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 连接区 电荷平衡 超结 载流子 功率半导体装置 顶部表面 快速切换 装置层 延伸 流动 | ||
【主权项】：
1.一种超结（SJ）装置，包含：具有第一导电型的装置层，其中，所述装置层包含设置在所述装置层的顶部表面中的具有第二导电型的顶部区；设置成与所述装置层相邻的具有所述第一导电型的第一电荷平衡（CB）层，其中，所述第一CB层包含具有所述第二导电型的第一多个电荷平衡（CB）区；以及设置在所述装置层和所述第一CB层中的具有所述第二导电型的第一连接区，其中，所述第一连接区从所述装置层的所述顶部区延伸到所述第一CB层的所述第一多个CB区的至少第一CB区。
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