[发明专利]碳化硅装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201780019386.2 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108780816B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | P.A.罗西;L.D.斯特瓦诺维奇;G.T.邓恩;A.V.博罗特尼科夫 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/08;H01L29/808;H01L29/745;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;杨美灵 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x10 |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅（SiC）装置，所述碳化硅（SiC）装置包括：布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中所述SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于所述漂移区域的阱区域，其中所述阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于所述阱区域的、具有所述第一导电类型的源区域，其中所述源区域包括源接触区域和收缩区域，其中所述收缩区域仅部分布置在所述栅电极之下，其中在所述收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm‑2，并且其中所述收缩区域配置为在高于所述SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加所述源区域的电阻。
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