[发明专利]金属构件、其制造方法及装备有上述金属构件的处理腔室在审
| 申请号： | 201780019684.1 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108884585A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 安范模;朴胜浩 | 申请（专利权）人： | ABM股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;C25D11/12;C25D11/18;C25D11/24;C25D11/04;C25D21/12;C23C16/44;C25D11/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 汪丽红 |
| 地址： | 韩国忠淸南道牙山*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭露一种金属构件以及一种具有所述金属构件的处理腔室，更特定而言，本发明是有关于一种金属构件以及一种装备有所述金属构件的处理腔室，通过将不具有孔的阳极化障壁层形成于用于显示器或半导体的制造工艺以及具有其的处理腔室中的金属构件的表面上，所述金属构件可防止工艺缺陷以及显示器或半导体的生产良率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属构件 处理腔室 半导体 显示器 工艺缺陷 制造工艺 阳极化 障壁层 良率 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种金属构件，其特征在于，所述金属构件提供于处理气体流入的处理腔室中，所述金属构件包括：基底，由金属制成；以及表面纳米氧化薄膜，形成于所述基底的表面上，其中所述表面纳米氧化薄膜(SNO)是藉由阳极化所述基底而形成，且包含具有多孔层的第一阳极氧化薄膜以及形成于所述多孔层的孔中使得所述表面纳米氧化薄膜(SNO)的表面以及内部皆不具有孔的第二阳极氧化薄膜。
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