[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780020105.5 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN109005669B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 德山健;松下晃;诹访时人 申请(专利权)人: 日立安斯泰莫株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地,绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置,从而能够确保绝缘距离。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体元件;导体板,其连接到所述半导体元件;金属制的基座构件,其与所述导体板对置,构成半导体装置的封装;以及绝缘构件,其配置于所述导体板与所述基座构件之间,所述绝缘构件将导体层夹在第1绝缘层与第2绝缘层之间而构成,在所述第1绝缘层与所述导体板之间形成静电电容电路,在所述第2绝缘层与所述基座构件之间形成静电电容电路,所述基座构件在所述绝缘构件与所述基座构件的接触部分处,形成有向所述绝缘构件侧突出的突出部,从所述导体层的中心至包含所述导体层的所述绝缘构件的边缘部为止的长度形成得比从所述导体层的中心至所述基座构件的所述突出部的边缘部为止的长度长。
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