[发明专利]氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780020285.7 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN109075212B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 成田好伸 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/205;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明具有由n型半导体形成的基板、以及设置在基板上且由包含供体和碳的氮化镓形成的漂移层，漂移层中的供体的浓度为5.0×10 |
||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体基板，其具有：由n型半导体形成的基板；以及设置在所述基板上、且由包含供体和碳的氮化镓形成的漂移层，所述漂移层中的所述供体的浓度为5.0×1016个/cm3以下，在所述漂移层的整个区域中，所述漂移层中的所述供体的浓度大于等于在所述漂移层中作为受体发挥功能的所述碳的浓度，从所述漂移层中的所述供体的浓度减去在所述漂移层中作为所述受体发挥功能的所述碳的浓度而得到的差值从所述基板侧朝向所述漂移层的表面侧缓缓减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社，未经赛奥科思有限公司;住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780020285.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
