[发明专利]半导体制造用处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201780020677.3 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN109074001A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 上村哲也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/16;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够抑制微影性能的恶化或缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液含有：一种满足下述要件(a)的化合物(A)、一种或两种以上的满足下述要件(b)的化合物(B)、及一种或两种以上的含有选自Al、B、S、N及K中的任意元素的无机物(C)。在此，化合物(B)的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，由下述式I表示的化合物(B)与无机物(C)的比率P为103～10‑6。要件(a)：选自醇化合物、酮化合物及酯化合物且含有率为90.0～99.9999999质量％的化合物。要件(b)：碳原子数6以上的选自醇化合物、酮化合物、酯化合物、醚化合物及醛化合物且含有率为10‑11～0.1质量％的化合物。(式I)P＝[无机物(C)的总质量]/[化合物(B)的总质量]。 | ||
| 搜索关键词： | 无机物 半导体制造 处理液 醇化合物 酮化合物 酯化合物 微细 要件 制造 半导体元件 抗蚀剂图案 电子器件 醚化合物 醛化合物 碳原子数 图案形成 微影 恶化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造用处理液，其含有：一种满足下述要件(a)的化合物(A)；一种或两种以上的满足下述要件(b)的化合物(B)；及一种或两种以上的含有选自Al、B、S、N及K中的任意元素的无机物(C)，化合物(B)在所述处理液中的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，由下述式I表示的化合物(B)与无机物(C)的比率P为103～10‑6，要件(a)：选自醇化合物、酮化合物及酯化合物且在所述处理液中的含有率为90.0～99.9999999质量％的化合物；要件(b)：碳原子数6以上的选自醇化合物、酮化合物、酯化合物、醚化合物及醛化合物且在所述处理液中的含有率为10‑11～0.1质量％的化合物，P＝[无机物(C)的总质量]/[化合物(B)的总质量]式I。
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