[发明专利]使用大规模分子电子传感器阵列测量分析物的方法和装置在审
| 申请号： | 201780020711.7 | 申请日： | 2017-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN109071212A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | B·L·梅里曼;P·W·莫拉;C·崔 | 申请（专利权）人： | 罗斯韦尔生物技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B82Y15/00 | 分类号： | B82Y15/00;G01N27/414;H01L21/764;H01L29/06;H01L29/41;H01L51/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永;钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本公开的各种实施例中，分子电子传感器阵列芯片包括：(a)集成电路半导体芯片；和(b)设置在其上的多个分子电子传感器器件，该传感器器件中的每个包括：(i)由纳米间隙分开的一对纳米级源电极和漏电极；(ii)栅电极；以及(iii)横跨该纳米间隙并连接该源电极和该漏电极的桥分子和/或探针分子，其中该分子电子传感器器件被组织成传感器像素的电子可寻址、可控制和可读的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 分子电子 传感器器件 纳米间隙 漏电极 源电极 集成电路半导体芯片 传感器阵列芯片 传感器像素 传感器阵列 电子可寻址 方法和装置 测量分析 探针分子 可控制 纳米级 栅电极 可读 横跨 | ||
【主权项】：
1.一种分子电子传感器阵列芯片，包括：(a)集成电路半导体芯片；和(b)设置在其上的多个分子电子传感器器件，每个传感器器件包括：(i)由纳米间隙分开的一对纳米级源电极和漏电极；(ii)栅电极；以及(iii)横跨所述纳米间隙并连接所述源电极和所述漏电极的桥分子或探针分子，其中所述传感器器件被组织成传感器像素的阵列。
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