[发明专利]半导体基板的保护膜形成方法有效
| 申请号： | 201780021006.9 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108885986B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 坂井伸;仮屋崎弘昭;青木龙彦;荒木浩司 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在从研磨头剥离半导体基板时新形成表面活性剂溶液的保护膜由此抑制颗粒等杂质的附着并抑制LPD数的恶化的半导体基板的保护膜形成方法。本发明的半导体基板的保护膜形成方法包括：第一保护膜形成工序Y1，所述第一保护膜形成工序Y1对研磨的半导体基板的表面进行利用表面活性剂溶液的亲水化处理，由此，形成保护膜；以及第二保护膜形成工序Y2，所述第二保护膜形成工序Y2在所述第一保护膜形成工序Y1之后，在所述研磨的半导体基板的至少表面与由表面活性剂溶液所形成的保护膜形成处理液的液面相接的状态下，从研磨头剥离半导体基板，并且将研磨的半导体基板浸渍于所述保护膜形成处理液，由此，在半导体基板的表面和背面形成保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保护膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板的保护膜形成方法，其特征在于，包括：第一保护膜形成工序，所述第一保护膜形成工序在使用用于保持半导体基板的研磨头和用于研磨半导体基板的研磨布被贴附的平板一边向研磨布与半导体基板之间供给研磨剂并加压/滑动研磨头一边进行加工的研磨工序之后，对研磨的半导体基板的表面进行利用表面活性剂溶液的亲水化处理，由此，形成保护膜；以及第二保护膜形成工序，所述第二保护膜形成工序在所述第一保护膜形成工序之后，在所述研磨的半导体基板的至少表面与由表面活性剂溶液所形成的保护膜形成处理液的液面相接的状态下，从研磨头剥离半导体基板，并且将研磨的半导体基板浸渍于所述保护膜形成处理液，由此，在半导体基板的表面和背面形成保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆日本股份有限公司，未经环球晶圆日本股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780021006.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
