[发明专利]非晶相氧化物基正极活性材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201780021201.1 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108886145B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 林晃敏;辰巳砂昌弘 申请(专利权)人: 公立大学法人大阪
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M4/505;H01M4/58;H01M10/0562;H01M4/36;H01M4/485
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘兵;戴香芸
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种非晶相氧化物基正极活性材料,其为用于全固态二次电池的正极的生产材料,其中,所述非晶相氧化物基正极活性材料(i)包含选自Li和Na的碱金属;选自Co、Ni、Mn、Fe、Cr、V、Cu、Ti、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru和Sn的第二金属;选自磷酸根离子、硫酸根离子、硼酸根离子、硅酸根离子、铝酸根离子、锗酸根离子、硝酸根离子、碳酸根离子和卤离子的离子物质;以及氧原子(构成所述离子物质的氧原子除外);(ii)至少含有非晶相;并且(iii)是厚度为20μm以上的正极的生产材料。
搜索关键词: 非晶相 氧化物 正极 活性 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种用于全固态二次电池的正极的生产材料的非晶相氧化物基正极活性材料,其中,所述非晶相氧化物基正极活性材料(i)包含选自Li和Na的碱金属;选自Co、Ni、Mn、Fe、Cr、V、Cu、Ti、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru和Sn的第二金属;选自磷酸根离子、硫酸根离子、硼酸根离子、硅酸根离子、铝酸根离子、锗酸根离子、硝酸根离子、碳酸根离子和卤离子的离子物质;以及氧原子(构成所述离子物质的氧原子除外);(ii)至少含有非晶相;并且(iii)是厚度为20μm以上的正极的生产材料。
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