[发明专利]用于光子芯片的具有可控模场的光学边缘耦合器有效
| 申请号： | 201780021398.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108885307B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋嘉;艾瑞克·伯尼尔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨小莉;臧建明 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种光子集成电路(PIC)边缘(105)处的光耦合器，其用于使所述PIC的波导(130)的模式与外部光纤(140)的模式匹配。所述波导(130)的芯(110)终止于所述边缘(105)之前，并且可以包括用于模式扩大的倒锥体。波导包层包括倒锥体并被较低折射率的外包层材料(125)包围，形成第二波导。包层(115)和外包层配合以引导所述芯和所述边缘(105)之间的光线，同时所述倒锥体有助于模式扩大。选择所述外包层材料(125)具有有利于与光纤(140)的模式匹配的折射率。可以使用光刻提供耦合器。可以通过底切工艺移除波导包层下的材料(127)，并且代替所述材料(127)沉积所述外包层材料(125)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光子 芯片 具有 可控 光学 边缘 耦合器 | ||
【主权项】：
1.一种用于在边缘处提供光学耦合的装置，包括：第一细长区域，由具有第一折射率的第一材料形成；第二细长区域，由具有第二折射率的第二材料形成，所述第二折射率低于所述第一折射率，所述第二细长区域朝向所述边缘逐渐变细，所述第二细长区域包围所述第一细长区域的至少一部分；以及第三材料，具有低于所述第二折射率的第三折射率，所述第三材料至少部分地包围所述第二细长区域。
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