[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780021547.1 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN109075081B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 西元修司;长友义幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备：电路层，由导电性材料构成；半导体元件，搭载在电路层的一面；和陶瓷基板，配设在电路层的另一面，在电路层的一面形成有Ag基底层，该Ag基底层具有玻璃层和层压在该玻璃层上的Ag层，该Ag基底层的Ag层和半导体元件直接接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：电路层，由导电性材料构成；半导体元件，搭载在所述电路层的一面；以及陶瓷基板，配设在所述电路层的另一面，所述半导体装置的特征在于，在所述电路层的一面形成有Ag基底层，所述Ag基底层具有玻璃层和层压在该玻璃层上的Ag层，该Ag基底层的所述Ag层和所述半导体元件直接接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
