[发明专利]用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统有效
申请号: | 201780021710.4 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN109073566B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 菲利普·加斯塔尔多;马约·杜朗德热维涅;特里斯坦·孔比耶 | 申请(专利权)人: | 统一半导体公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
地址: | 法国蒙特邦*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法,其包括:使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动,从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束,以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V),收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分,获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号,在所述信号中检测所述收集的光的频率分量,所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 激光 多普勒效应 检测 微电子 光学 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种检测用于电子学、光学或光电学的晶片(2)的方法,包括:‑使晶片(2)围绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动,‑从与干涉装置(30)耦合的光源(20)发射两个入射光束,以便在两个光束之间的交叉处形成包括干涉条纹的测量体积(V),所述干涉条纹被布置成使得所述晶片的主表面(S)的区域穿过测量体积的至少一个干涉条纹,所述测量体积在所述晶片的径向方向上的尺寸(Dy)在5和100μm之间,‑收集由晶片的所述区域散射的光的至少一部分,‑获取所收集的光并且发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号,‑在所述信号中检测所述收集的光的频率分量,所述频率是缺陷通过测量体积的时间特征。
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