[发明专利]用于处理氮化物结构而没有二氧化硅沉积的方法和装置

摘要

提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。

主权项

1.一种用于蚀刻形成在基底上的特征的方法，包括：提供具有高纵横比结构的基底，所述高纵横比结构包括包含氮化硅的第一组暴露特征和包含硅或硅氧化物的第二组暴露特征；将所述基底装入湿法化学处理系统中；进行第一蚀刻步骤，所述第一蚀刻步骤包括将所述基底暴露于第一湿法蚀刻化学组合物以从所述高纵横比结构除去至少部分的所述氮化硅，所述将所述基底暴露于第一湿法蚀刻化学组合物在所述高纵横比结构的所述硅或硅氧化物上形成含硅沉积物；以及进行第二蚀刻步骤，所述第二蚀刻步骤包括将所述基底暴露于第二湿法蚀刻化学组合物以除去至少一些在所述第一蚀刻步骤期间形成在所述硅或硅氧化物上的所述含硅沉积物。