[发明专利]晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块有效

专利信息
申请号: 201780022310.5 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN108886069B 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 足立大辅 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/054
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋;青炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 太阳能电池(100)具备:本征硅系薄膜(21)、导电型硅系薄膜(31)、受光面透明电极层(41)及受光面金属电极(71),它们依次设置于晶体硅基板(1)的第一主表面上;本征硅系薄膜(22)、导电型硅系薄膜(32)、背面透明电极层(42)、及背面金属电极(72),它们依次设置于晶体硅基板(1)的第二主表面上。晶体硅基板(1)在第一主表面及第二主表面具有纹理。受光面金属电极(71)及背面金属电极(72)均被设置成图案状。背面透明电极层(42)未设置于第二主表面的周缘。在第二主表面的周缘,与背面透明电极层(42)分离地设置有端部平坦化金属层(75)。
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 及其 制造 方法 以及 模块
【主权项】:
1.一种晶体硅系太阳能电池,其具备:晶体硅基板,其具有第一主表面、第二主表面及侧面;第一本征硅系薄膜、第一导电型硅系薄膜、受光面透明电极层、及受光面金属电极,它们依次设置于所述晶体硅基板的第一主表面上;以及第二本征硅系薄膜、第二导电型硅系薄膜、背面透明电极层、及背面金属电极,它们依次设置于所述晶体硅基板的第二主表面上,所述第二导电型硅系薄膜具有与所述第一导电型硅系薄膜不同的导电型,其中,所述晶体硅基板在第一主表面及第二主表面具有纹理,所述受光面金属电极及所述背面金属电极均被设置成图案状,所述背面透明电极层未设置于第二主表面的周缘,在第二主表面的周缘,与所述背面透明电极层分离地设置有端部平坦化金属层。
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