[发明专利]晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块有效
申请号: | 201780022310.5 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN108886069B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 足立大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/054 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 太阳能电池(100)具备:本征硅系薄膜(21)、导电型硅系薄膜(31)、受光面透明电极层(41)及受光面金属电极(71),它们依次设置于晶体硅基板(1)的第一主表面上;本征硅系薄膜(22)、导电型硅系薄膜(32)、背面透明电极层(42)、及背面金属电极(72),它们依次设置于晶体硅基板(1)的第二主表面上。晶体硅基板(1)在第一主表面及第二主表面具有纹理。受光面金属电极(71)及背面金属电极(72)均被设置成图案状。背面透明电极层(42)未设置于第二主表面的周缘。在第二主表面的周缘,与背面透明电极层(42)分离地设置有端部平坦化金属层(75)。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅系太阳能电池,其具备:晶体硅基板,其具有第一主表面、第二主表面及侧面;第一本征硅系薄膜、第一导电型硅系薄膜、受光面透明电极层、及受光面金属电极,它们依次设置于所述晶体硅基板的第一主表面上;以及第二本征硅系薄膜、第二导电型硅系薄膜、背面透明电极层、及背面金属电极,它们依次设置于所述晶体硅基板的第二主表面上,所述第二导电型硅系薄膜具有与所述第一导电型硅系薄膜不同的导电型,其中,所述晶体硅基板在第一主表面及第二主表面具有纹理,所述受光面金属电极及所述背面金属电极均被设置成图案状,所述背面透明电极层未设置于第二主表面的周缘,在第二主表面的周缘,与所述背面透明电极层分离地设置有端部平坦化金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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