[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780022620.7 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109075206B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;冈崎健一;黑崎大辅;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的绝缘膜；所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极，其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜分别独立地包含In、M和Zn，所述M为Al、Ga、Y或Sn，所述第一氧化物半导体膜包括其结晶性低于所述第二氧化物半导体膜的区域，在所述In的原子比为4的情况下，对于所述In、所述M和所述Zn的总和的所述M的原子比为1.5以上且2.5以下，并且，在所述In的所述原子比为4的情况下，对于所述In、所述M和所述Zn的所述总和的所述Zn的原子比为2以上且4以下。
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