[发明专利]制作隧穿场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 201780022954.4 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN109075193A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡皓程;赵静;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 王龙华;毛威 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制作隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底(201)上制作主轴(202)；在主轴(202)的侧壁表面上覆盖第一钝化保护层(203)；在未被第一钝化保护层(203)与主轴(202)覆盖的区域形成具有第一种掺杂类型的掺杂区(204)；在第一钝化保护层(203)上覆盖第二钝化保护层(205)；在掺杂区(204)未被第二钝化保护层(205)覆盖的区域形成具有第二种掺杂类型的源区(206)，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；去除主轴(202)，并在去除主轴(202)的区域上形成具有第一种掺杂类型的漏区(209)；去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)，并在去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)的区域上制作金属栅极(210)，因此，可以克服光刻工艺的限制实现较小尺寸的栅极宽度，而且还可以实现掺杂口袋的灵活设计，能够与传统的半导体工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化保护层 掺杂类型 去除 隧穿场效应晶体管 区域形成 覆盖 掺杂区 制作 半导体工艺 侧壁表面 光刻工艺 金属栅极 传统的 衬底 漏区 源区 掺杂 兼容 灵活 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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