[发明专利]包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。

主权项

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物，式中，n1为结构单元的重复数，表示1～10的整数，n2表示1或2的整数。