[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780023312.6 | 申请日： | 2017-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109121438B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;冈崎健一;津吹将志;马场晴之;重信幸惠;肥冢绘美 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：第一栅电极、氧化物半导体膜以及第二栅电极，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，在所述晶体管的饱和区域中测量的场效应迁移率的最小值与最大值之差为15cm2/Vs以下，并且，在施加到所述第一栅电极及所述第二栅电极的电压在3V至10V的范围内并且施加到所述氧化物半导体膜的漏区域的电压在10V至20V的范围内时，进行所述场效应迁移率的测量。
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