[发明专利]于基底上形成定向自组装层的方法有效
| 申请号： | 201780023966.9 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN109314045B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | W·克纳平;J·W·梅斯;M·斯托霍夫;R·格朗海德;H·P·斯里拉曼 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司;微电子研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;赵蓉民 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种藉由以下步骤于基底上形成定向自组装(DSA)层的方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 形成 定向 组装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于基底上形成定向自组装层的方法，包括：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层，其中所述方法包括将所述受控的气体环境控制成以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
