[发明专利]高速VCSEL装置有效
申请号: | 201780024020.4 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN109075532B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 丘尼·高希;吉恩-弗朗索瓦·瑟林;德莱·周;劳伦斯·沃特金斯 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H04B10/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括所述VCSEL的反射表面。增益区域定位在所述分布式布拉格反射器上,所述增益区域产生光学增益。所述增益区域包含第一多量子阱堆叠和第二多量子阱堆叠、定位在所述第一多量子阱堆叠与所述第二多量子阱堆叠之间的隧道结,以及定位在所述第一多量子阱堆叠和所述第二多量子阱堆叠中的一个上的电流孔。所述电流孔将电流流动限制在所述增益区域中。部分地反射的表面和所述反射表面形成VCSEL谐振腔,其中输出光束从所述部分地反射的表面传播。 | ||
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【主权项】:
1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL),包括:a)所述VCSEL的反射表面;b)增益区域,其定位在所述反射表面上,所述增益区域产生光学增益,所述增益区域包括:i.第一多量子阱堆叠和第二多量子阱堆叠;ii.隧道结,所述隧道结定位在所述第一多量子阱堆叠与所述第二多量子阱堆叠之间;以及iii.电流孔,所述电流孔定位在所述第一多量子阱堆叠和所述第二多量子阱堆叠中的一个上,所述电流孔将电流流动限制在所述增益区域中;以及c)部分地反射的表面,所述反射表面和所述部分地反射的表面形成VCSEL谐振腔,其中输出光束从所述部分地反射的表面传播。
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