[发明专利]具有可变间隙和可调陷阱势的并联偶极线陷阱有效
| 申请号： | 201780024235.6 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109075026B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | O·古纳万 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了使用并联偶极线(PDL)陷阱中的可变间隙来调节磁势的技术。在一个方面，提供了PDL陷阱。PDL阱包括：一对偶极线磁体，它们通过可变间隙g彼此分开；以及在偶极线磁体上方悬浮的反磁性物体。偶极线磁体可以通过至少一个间隔件彼此分开，或者可以使用可变间隙夹具，其中偶极线磁体固定到分开的安装件上，以改变偶极线磁体之间的间隙g。可以使用多个PDL陷阱段构建更大的陷阱或轨道。还提供了一种操作PDL陷阱的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可变 间隙 可调 陷阱 并联 偶极线 | ||
【主权项】：
1.一种并联偶极线陷阱，包括：一对通过可变间隙g彼此分开的偶极线磁体；和悬浮在偶极线磁体上方的抗磁物体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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