[发明专利]光生伏特元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201780024559.X | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN109362238A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 绵引达郎;小林裕美子 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 层叠结构(ST)具有在半导体基板(100)上交替设置的多个隧道氧化物层(104)和多个结晶系薄膜半导体层(106)。多个隧道氧化物层(104)包含在半导体基板(100)上依次配置的第1至第n隧道氧化物层(104a～104f)。第1隧道氧化物层(104a)与半导体基板(100)抵接，并且对于半导体基板(100)的少数载流子具有势垒。多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层具有第1导电型。多个结晶系薄膜半导体层(106)包含在半导体基板(100)上依次配置的第1至第n结晶系薄膜半导体层(106a～106f)。多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层在50％以上的厚度范围中具有1原子％以下的平均氢含量，并且具有50％以上的结晶率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 薄膜半导体 隧道氧化物层 配置的 光生伏特元件 少数载流子 层叠结构 交替设置 导电型 结晶率 抵接 势垒 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光生伏特元件(201，202)，具备：半导体基板(100)，其具有第1导电型及与所述第1导电型相反的第2导电型中的任一者；层叠结构(ST)，其具有在所述半导体基板(100)上交替设置的多个隧道氧化物层(104)及多个结晶系薄膜半导体层(106)；和保护膜(107)，其在所述层叠结构(ST)上设置、由电介质制作，所述多个隧道氧化物层(104)包含在所述半导体基板(100)上依次配置的第1至第n隧道氧化物层，所述第1隧道氧化物层与所述半导体基板(100)抵接，且对于所述半导体基板(100)的少数载流子具有势垒；所述多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层具有所述第1导电型，所述多个结晶系薄膜半导体层(106)包含在所述半导体基板(100)上依次配置的第1至第n结晶系薄膜半导体层；所述多个结晶系薄膜半导体层(106)的各个层在50％以上的厚度范围中具有1原子％以下的平均氢含量，且具有50％以上的结晶率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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