[发明专利]发光二极管

摘要

根据一实施例的发光二极管包括：第一发光单元及第二发光单元，分别包含n型半导体层、p型半导体层；反射结构体，接触于p型半导体层；第一接触层，欧姆接触于第一发光单元的n型半导体层；第二接触层，欧姆接触于第二发光单元的n型半导体层，并接触于第一发光单元上的反射结构体；n电极焊盘，连接于第一接触层；以及p电极焊盘，连接于第二发光单元上的反射结构体，其中，第一发光单元与第二发光单元相互分离，它们的外侧面相比于内侧面更急剧地倾斜。因此，能够降低正向电压，并且能够提高光输出。

主权项

1.一种发光二极管，其中，包括：基板；第一发光单元及第二发光单元，相邻地布置于所述基板上，分别包含n型半导体层、p型半导体层和布置于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；反射结构体，在所述第一发光单元及第二发光单元的p型半导体层上分别布置，并接触于所述p型半导体层；第一接触层，欧姆接触于所述第一发光单元的n型半导体层；第二接触层，欧姆接触于所述第二发光单元的n型半导体层，并连接于所述第一发光单元的反射结构体；n电极焊盘，布置于所述第一发光单元上部，并电连接于所述第一接触层；以及p电极焊盘，布置于所述第二发光单元上部，并电连接于所述第二发光单元上的反射结构体，其中，所述第一发光单元及第二发光单元通过使所述基板暴露的分离区域相互分离，所述第一发光单元及第二发光单元的n型半导体层包括彼此相向的内侧面和暴露于外部的外侧面，并且，至少一个所述外侧面相比于所述内侧面更急剧地倾斜。