[发明专利]存储器阵列、铁电晶体管及读取与写入存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201780024915.8 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109075176B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | D·V·N·拉马斯瓦米;W·肯尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/78;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含铁电晶体管。所述晶体管具有配置为第一容器的栅极电介质材料，其中所述第一容器具有第一内表面。含金属材料配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器。所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面。铁电材料配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器。所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面。栅极材料位于所述第三容器内。一些实施例包含具有作为存储器单元的铁电晶体管的存储器阵列。一些实施例包含在存储器阵列的存储器单元是金属铁电金属绝缘体半导体MFMIS晶体管的情况下与所述存储器单元相关的写入/读取方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 晶体管 读取 写入 单元 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电晶体管，其包括：栅极电介质材料，其配置为第一容器，所述第一容器具有第一内表面；含金属材料，其配置为嵌套于所述第一容器内的第二容器，所述第二容器具有具小于所述第一内表面的面积的第二内表面；铁电材料，其配置为嵌套于所述第二容器内的第三容器，所述第三容器具有具小于所述第二内表面的面积的第三内表面；及栅极材料，其位于所述第三容器内。
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