[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法

摘要

本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。由此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。

主权项

1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆为硅单晶所构成的接合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜予以贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含下列步骤：于该基底晶圆被贴合的贴合面侧予以堆积多晶硅层；研磨该多晶硅层的表面而得到研磨面；于该接合晶圆的贴合面形成该绝缘膜；透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的该研磨面与该接合晶圆予以贴合；以及将经贴合的该接合晶圆予以薄膜化而形成SOI层，其中，使用电阻率100Ω·cm以上之单晶硅晶圆作为该基底晶圆，堆积该多晶硅层的步骤，更包含于该基底晶圆的堆积该多晶硅层的表面上预先形成氧化膜的阶段，该多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上的规定温度为止，且在该规定温度下供给该多晶硅层的原料气体而进行，更进一步在升温至该规定温度为止之际中也供给该多晶硅层的原料气体。