[发明专利]接合基板的装置和方法在审
申请号: | 201780025114.3 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN110168711A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | D.齐纳;T.瓦根莱特纳;J.M.聚斯;T.普拉赫;J.马林格 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/687 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郭帆扬;李雪莹 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于将第一基板(4o)与第二基板(4u)在基板(4o,4u)的彼此面对的接触面(4k)处接合的方法,其中,第一基板(4o)被接纳在第一接纳设备(1o)上且第二基板(4u)被接纳在第二接纳设备(1u)上,且其中,在第二基板(4u)与第二接纳设备(1u)之间布置有板(17u),其中,第二基板(4u)与板(4u)在接合之前且/或在接合期间相对第二接纳设备(1u)被变形。此外,本发明涉及一种对应的装置及一种对应的板。 | ||
搜索关键词: | 第二基板 接纳设备 接合 第一基板 接纳 彼此面对 接合基板 基板 变形 | ||
【主权项】:
1.用于将第一基板(4o)与第二基板(4u)在所述基板(4o,4u)的彼此面对的接触面(4k)处接合的方法,其中,所述第一基板(4o)被接纳在第一接纳设备(1o)上且所述第二基板(4u)被接纳在第二接纳设备(1u)上,且其中,在所述第二基板(4u)与所述第二接纳设备(1u)之间布置有板(17u),其特征在于,所述第二基板(4u)与所述板(4u)在所述接合之前且/或在所述接合期间相对所述第二接纳设备(1u)被变形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司,未经EV集团E·索尔纳有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780025114.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造