[发明专利]发光二极管的保护膜的沉积方法有效
| 申请号： | 201780025729.6 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109075263B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李洪宰;金宗焕;沈愚泌;李愚嗔;尹星然;李敦熙 | 申请（专利权）人： | TES股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L21/02;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的保护膜的沉积方法，于发光二极管的保护膜沉积方法中，上述保护膜沉积方法包含如下工序：于基板的发光二极管的上部沉积第一无机保护膜的工序；以及将内部应力比上述第一无机保护膜相对小的第二无机保护膜沉积于上述第一无机保护膜的上部的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 保护膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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