[发明专利]氧化物半导体薄膜的品质评价方法及上述氧化物半导体薄膜的品质管理方法以及使用该品质评价方法的半导体的制造装置

摘要

本发明是氧化物半导体薄膜的品质评价方法，选出在通过μ‑PCD法测定出的激励光停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中，计算值最高的峰值以及上述峰值的时间常数(μ秒)，根据上述峰值以及上述时间常数推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度。x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)，式中，x：计算值，信号值：微波的反射率(mV)，信号值的经过时间：从激励光停止后到信号值为止的经过时间(μ秒)。

主权项

1.一种氧化物半导体薄膜的品质评价方法，其特征在于，包括：第1工序，对形成有氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，在测定了通过上述激励光的照射而变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值后，停止上述激励光的照射，测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率在时间上的变化，将激励光的照射停止后的每个经过时间的微波的反射率作为信号值来记录，上述经过时间以μ秒为单位；以及第2工序，在将上述激励光的照射停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中选出计算值最大的峰值以及上述峰值的时间常数，根据上述峰值以及上述时间常数来推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度，上述时间常数以μ秒为单位，x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)式中，x：计算值，信号值：微波的反射率，单位mV，信号值的经过时间：从激励光照射停止后到信号值为止的经过时间。