[发明专利]致密的二氧化硅质膜形成用组合物有效

专利信息
申请号: 201780026971.5 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN109072006B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 野岛由雄;小林政一 申请(专利权)人: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人: 刘卓然
地址: 卢森堡国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: [目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜,对该组合物进行基于二阶段转化的加工,所述二阶段转化包括:通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜;然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物,其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂,本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法,其中,将该组合物涂布于基材上,转化为二氧化硅质物质。该特定的胺类化合物具有二个胺基,在胺基中具有至少1个由苯基取代了的烃基。
搜索关键词: 致密 二氧化硅 质膜 形成 组合
【主权项】:
1.一种组合物,其包含由以下的通式(I)表示的胺类化合物、聚硅氮烷化合物、以及溶剂,式中,RA各自独立地表示氢或者C1~C10的、非取代的或者取代了的烃基,条件是至少1个RA是由苯基取代了的C1~C3的烃基,RB各自独立地表示氢或者C1~C10的烃基、环状烃基、或者不饱和烃基,条件是两个RB不同时为氢,p1以及p2各自独立地是0~3的整数,p3是1~3的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AZ电子材料(卢森堡)有限公司,未经AZ电子材料(卢森堡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780026971.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top