[发明专利]磁传感器装置有效
| 申请号： | 201780027143.3 | 申请日： | 2017-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN109073715B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 尾込智和;下畑贤司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/09;G07D7/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 熊风;胡秋瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在磁传感器装置中，利用磁化磁体(1)对传送面(P)上所传送的片状的被检测物(4)进行磁化，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面(P)相交的磁化磁场(11)，在传送面(P)上的磁化磁场(11)中，与传送面(P)平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上。磁传感器装置具有：偏置磁体(2)，其形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体(1)磁化且被传送的被检测物(4)的平面相交的偏置磁场(21)，且在被检测物(4)的平面上的偏置磁场(21)中使与被检测物(4)的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；及磁阻效应元件芯片(9)，其与偏置磁体(2)的被检测物(4)的平面相对地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器装置，该磁传感器装置中，利用磁化磁体对传送面上所传送的片状的被检测物进行磁化，从而对被磁化的所述被检测物进行检测，该磁化磁体在所述传送面上形成磁化磁场，在所述传送面上所述磁化磁场的与所述传送面平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上，该磁传感器装置的特征在于，包括：偏置磁体，该偏置磁体形成磁通中心的磁力方向与被所述磁化磁体磁化且沿着所述传送面被传送的所述被检测物的平面相交的偏置磁场，且在所述被检测物的平面上的所述偏置磁场中，使与所述被检测物的平面平行的磁场分量的大小大于所述第一矫顽力且小于所述第二矫顽力；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件与所述偏置磁体的所述被检测物的平面相对地配置。
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