[发明专利]半导体结构的孔隙度测量有效
申请号: | 201780027217.3 | 申请日: | 2017-04-29 |
公开(公告)号: | CN109155265B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | S·克里许南 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提出用于通过毛细管冷凝法过程来执行经填充有填充材料的几何结构的孔隙度的光学测量的方法及系统。当使用包含经控制量的汽化填充材料的净化气体的流动来处理被测量结构时,执行测量。所述填充材料的一部分冷凝且填充结构特征中的开口(例如平面膜的孔)、结构特征之间的空间、小体积(例如,凹口、沟槽、狭缝、接触孔等)。一方面,基于待填充的最大特征大小来确定所述气体流动中的汽化材料的所要饱和度。另一方面,当结构是未填充的及当所述结构经填充时,收集测量数据。使所述经收集数据组合于基于多目标模型的测量中,以估计孔隙度及关键尺寸的值。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 孔隙 测量 | ||
【主权项】:
1.一种测量系统,其包括:照明源,其经配置以提供第一量的照明光到安置于样品上的一或多个计量目标;蒸汽注入系统,其经配置以在所述一或多个计量目标的所述照明期间提供包含呈蒸汽相的第一填充材料的第一气体流动到所述一或多个计量目标,其中使所述填充材料的一部分呈液相而冷凝到所述一或多个计量目标上,且其中填充材料的所述部分填充所述一或多个计量目标的一或多个几何、结构特征之间的空间的至少一部分;检测器,其经配置以响应于所述第一量的照明光而从所述一或多个计量目标接收第一量的经收集光,且产生指示所述第一量的经收集光的第一测量信号集;及计算系统,其经配置以:至少部分基于所述第一测量信号集及测量模型来估计指示所述一或多个计量目标的孔隙度的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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