[发明专利]用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制的设备和方法有效
申请号: | 201780027652.6 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN109075110B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | F·M·斯李维亚;张春雷;P·克里米诺儿;赵在龙 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中,热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间,以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间,也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀,以调整热流体的流速。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 腔室中 晶片 载体 先进 温度 控制 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括:热交换器,所述热交换器向工件载体的流体通道提供热流体并且接收来自所述流体通道的所述热流体,所述热交换器控制提供给所述热通道的所述热流体的温度,所述流体通道中的所述热流体用于在工件处理期间控制所述载体的温度;比例阀,所述比例阀在所述热交换器和所述流体通道之间,用于控制从所述热交换器到所述流体通道的热流体的流速;气动阀,所述气动阀在所述热交换器和所述流体通道之间,同样用于控制来自所述热交换器与所述流体通道的热流体的流速;以及温度控制器,所述温度控制器接收来自所述载体的热传感器的测得的温度并响应于所述测得的温度控制所述比例阀和所述气动阀,以调整所述热流体的流速。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造